SI7370DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7370DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7370DP
SI7370DP Datasheet (PDF)
si7370dp.pdf
Si7370DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 15.8 TrenchFET Power MOSFET 60 0.013 at VGS = 6 V 14.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested
si7370adp.pdf
New ProductSi7370ADPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.010 at VGS = 10 V 16 100 % Rg Tested COMPLIANT 60 450.0125 at VGS = 6 V 14.4 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications
si7374dp.pdf
Si7374DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0055 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0066 at VGS = 4.5 V 24 100 % Rg TestedSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONSVSD (V)VDS (V) IF (A) DC/
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Liste
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