SI7370DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7370DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI7370DP MOSFET
Principales características: SI7370DP
si7370dp.pdf
Si7370DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 15.8 TrenchFET Power MOSFET 60 0.013 at VGS = 6 V 14.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested
si7370adp.pdf
New Product Si7370ADP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.010 at VGS = 10 V 16 100 % Rg Tested COMPLIANT 60 45 0.0125 at VGS = 6 V 14.4 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications
si7374dp.pdf
Si7374DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0055 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET 30 36 nC 0.0066 at VGS = 4.5 V 24 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONS VSD (V) VDS (V) IF (A) DC/
Otros transistores... SI7336ADP , SI7342DP , SI7344DP , SI7356ADP , SI7358ADP , SI7366DP , SI7368DP , SI7370ADP , SKD502T , SI7374DP , SI7380ADP , SI7382DP , SI7384DP , SI7386DP , SI7388DP , SI7390DP , SI7392ADP .
History: NTTFS4C06N | PN4091
History: NTTFS4C06N | PN4091
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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