SI7370DP - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI7370DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7370DP
SI7370DP технические параметры
si7370dp.pdf
Si7370DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.011 at VGS = 10 V 15.8 TrenchFET Power MOSFET 60 0.013 at VGS = 6 V 14.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested
si7370adp.pdf
New Product Si7370ADP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.010 at VGS = 10 V 16 100 % Rg Tested COMPLIANT 60 45 0.0125 at VGS = 6 V 14.4 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications
si7374dp.pdf
Si7374DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0055 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET 30 36 nC 0.0066 at VGS = 4.5 V 24 100 % Rg Tested SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONS VSD (V) VDS (V) IF (A) DC/
Другие MOSFET... SI7336ADP , SI7342DP , SI7344DP , SI7356ADP , SI7358ADP , SI7366DP , SI7368DP , SI7370ADP , SKD502T , SI7374DP , SI7380ADP , SI7382DP , SI7384DP , SI7386DP , SI7388DP , SI7390DP , SI7392ADP .
