IRFS351 Todos los transistores

 

IRFS351 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS351
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 338 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFS351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  1
 irfs350 irfs351.pdf pdf_icon

IRFS351

 8.1. Size:187K  1
 irfs350.pdf pdf_icon

IRFS351

 8.2. Size:235K  1
 irfs350a.pdf pdf_icon

IRFS351

IRFS350AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON): 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character

 8.3. Size:430K  international rectifier
 irfb3507pbf irfs3507pbf irfsl3507pbf.pdf pdf_icon

IRFS351

PD - 95935BIRFB3507PbFIRFS3507PbFIRFSL3507PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.7.0ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-FreeG max. 8.8mID97ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessSSS

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History: PPJD50N10AL

 

 
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