Справочник MOSFET. IRFS351

 

IRFS351 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS351
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 338 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3PF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS351 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  1
 irfs350 irfs351.pdf pdf_icon

IRFS351

 8.1. Size:187K  1
 irfs350.pdf pdf_icon

IRFS351

 8.2. Size:235K  1
 irfs350a.pdf pdf_icon

IRFS351

IRFS350AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON): 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character

 8.3. Size:430K  international rectifier
 irfb3507pbf irfs3507pbf irfsl3507pbf.pdf pdf_icon

IRFS351

PD - 95935BIRFB3507PbFIRFS3507PbFIRFSL3507PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.7.0ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-FreeG max. 8.8mID97ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessSSS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HUFA76423S3ST | MMBFJ177L | P06P03LDG | HM12N20D | FDP52N20 | NCE65TF099F

 

 
Back to Top

 


 
.