SI7601DN Todos los transistores

 

SI7601DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7601DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0192 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7601DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  vishay
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SI7601DN

New ProductSi7601DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Halogen-free Option Available0.019 at VGS = - 4.5 V - 16e TrenchFET Power MOSFET- 20 16.2 nC Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS0.031 at VGS = - 2.5 V - 16eCOMPLIANTPackage with Small Size and Low 1.07 mm Profile PWM Optim

 9.1. Size:92K  vishay
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SI7601DN

Si7606DNVishay SiliconixN-Channel 125-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.108 at VGS = 10 V 14.5 TrenchFET Power MOSFET125 9.1 nC0.115 at VGS = 4.5 V 14 Optimized for Fast Switching Applications Low Thermal Resistance PowerPAK Package PowerPAK 1212-8

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History: UPA1720 | PTF8N65 | BRCS120N03DP | PTP13N50B | HTD2K1P10 | 2SK4212-ZK | FKP253

 

 
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