SI7601DN Todos los transistores

 

SI7601DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7601DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 112 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0192 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7601DN datasheet

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SI7601DN

New Product Si7601DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Halogen-free Option Available 0.019 at VGS = - 4.5 V - 16e TrenchFET Power MOSFET - 20 16.2 nC Low Thermal Resistance PowerPAK RoHS 0.031 at VGS = - 2.5 V - 16e COMPLIANT Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile PWM Optim

 9.1. Size:92K  vishay
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SI7601DN

Si7606DN Vishay Siliconix N-Channel 125-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.108 at VGS = 10 V 14.5 TrenchFET Power MOSFET 125 9.1 nC 0.115 at VGS = 4.5 V 14 Optimized for Fast Switching Applications Low Thermal Resistance PowerPAK Package PowerPAK 1212-8

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