SI7601DN Todos los transistores

 

SI7601DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7601DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3.8 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 11.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.6 V

Tiempo de elevación (tr): 112 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 490 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0192 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAK-1212-8

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SI7601DN Datasheet (PDF)

1.1. si7601dn.pdf Size:556K _vishay

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New Product Si7601DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Qg (Typ.) • Halogen-free Option Available 0.019 at VGS = - 4.5 V - 16e • TrenchFET® Power MOSFET - 20 16.2 nC • Low Thermal Resistance PowerPAK® RoHS 0.031 at VGS = - 2.5 V - 16e COMPLIANT Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile • PWM Optim

5.1. si7606dn.pdf Size:92K _vishay

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