SI7601DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7601DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7601DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7601DN даташит

 ..1. Size:556K  vishay
 si7601dn.pdf pdf_icon

SI7601DN

New Product Si7601DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY FEATURES VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Halogen-free Option Available 0.019 at VGS = - 4.5 V - 16e TrenchFET Power MOSFET - 20 16.2 nC Low Thermal Resistance PowerPAK RoHS 0.031 at VGS = - 2.5 V - 16e COMPLIANT Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile PWM Optim

 9.1. Size:92K  vishay
 si7606dn.pdf pdf_icon

SI7601DN

Si7606DN Vishay Siliconix N-Channel 125-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.108 at VGS = 10 V 14.5 TrenchFET Power MOSFET 125 9.1 nC 0.115 at VGS = 4.5 V 14 Optimized for Fast Switching Applications Low Thermal Resistance PowerPAK Package PowerPAK 1212-8

Другие IGBT... SI7478DP, SI7483ADP, SI7485DP, SI7489DP, SI7491DP, SI7495DP, SI7540ADP, SI7540DP, IRF3205, SI7611DN, SI7613DN, SI7615ADN, SI7615DN, SI7617DN, SI7619DN, SI7620DN, SI7621DN