Справочник MOSFET. SI7601DN

 

SI7601DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7601DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7601DN

 

 

SI7601DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  vishay
 si7601dn.pdf

SI7601DN SI7601DN

New ProductSi7601DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Halogen-free Option Available0.019 at VGS = - 4.5 V - 16e TrenchFET Power MOSFET- 20 16.2 nC Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS0.031 at VGS = - 2.5 V - 16eCOMPLIANTPackage with Small Size and Low 1.07 mm Profile PWM Optim

 9.1. Size:92K  vishay
 si7606dn.pdf

SI7601DN SI7601DN

Si7606DNVishay SiliconixN-Channel 125-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.108 at VGS = 10 V 14.5 TrenchFET Power MOSFET125 9.1 nC0.115 at VGS = 4.5 V 14 Optimized for Fast Switching Applications Low Thermal Resistance PowerPAK Package PowerPAK 1212-8

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SIHF820 | IXTH31N20MB

 

 
Back to Top