Справочник MOSFET. SI7601DN

 

SI7601DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7601DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 112 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 490 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7601DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7601DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:556K  vishay
 si7601dn.pdf pdf_icon

SI7601DN

New ProductSi7601DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) Halogen-free Option Available0.019 at VGS = - 4.5 V - 16e TrenchFET Power MOSFET- 20 16.2 nC Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS0.031 at VGS = - 2.5 V - 16eCOMPLIANTPackage with Small Size and Low 1.07 mm Profile PWM Optim

 9.1. Size:92K  vishay
 si7606dn.pdf pdf_icon

SI7601DN

Si7606DNVishay SiliconixN-Channel 125-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.108 at VGS = 10 V 14.5 TrenchFET Power MOSFET125 9.1 nC0.115 at VGS = 4.5 V 14 Optimized for Fast Switching Applications Low Thermal Resistance PowerPAK Package PowerPAK 1212-8

Другие MOSFET... SI7478DP , SI7483ADP , SI7485DP , SI7489DP , SI7491DP , SI7495DP , SI7540ADP , SI7540DP , IRFZ44N , SI7611DN , SI7613DN , SI7615ADN , SI7615DN , SI7617DN , SI7619DN , SI7620DN , SI7621DN .

 

 
Back to Top

 


 
.