SI7620DN Todos los transistores

 

SI7620DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7620DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.126 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7620DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  vishay
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SI7620DN

Si7620DNVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.126 at VGS = 10 V 150 13 9.5 nC 100 % Rg TestedRoHSCOMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side SwitchS3.30 mm 3.30 mmD1S2S3G4D8DG7D

 9.1. Size:105K  vishay
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SI7620DN

Si7621DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 4c TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated- 20 3.8 nC0.180 at VGS = - 2.5 V - 4c PowerPAK Package- Low Thermal Resistance- Low 1.07 mm Profile 100 Rg Tested

 9.2. Size:126K  vishay
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SI7620DN

New ProductSi7625DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET- 30 39.5 nC 100% Rg Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1

 9.3. Size:579K  vishay
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SI7620DN

New ProductSi7623DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 55.5 nCFor definitions of compliance please see0.0090 at VGS = - 2.5 V

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History: BUK7616-55A | CSD85312Q3E | AP98T03GP-HF | FTK5N80DD

 

 
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