SI7620DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7620DN 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.126 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7620DN datasheet
si7620dn.pdf
Si7620DN Vishay Siliconix N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.126 at VGS = 10 V 150 13 9.5 nC 100 % Rg Tested RoHS COMPLIANT 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Side Switch S 3.30 mm 3.30 mm D 1 S 2 S 3 G 4 D 8 D G 7 D
si7625dn.pdf
New Product Si7625DN Vishay Siliconix P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET - 30 39.5 nC 100% Rg Tested 0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1
si7623dn.pdf
New Product Si7623DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization 0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20 - 35a 55.5 nC For definitions of compliance please see 0.0090 at VGS = - 2.5 V
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IXFK48N55 | NDH8504P | SST65R600S2 | IRF8714PBF
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Liste
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