Справочник MOSFET. SI7620DN

 

SI7620DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7620DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.126 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7620DN

 

 

SI7620DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:559K  vishay
 si7620dn.pdf

SI7620DN SI7620DN

Si7620DNVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.126 at VGS = 10 V 150 13 9.5 nC 100 % Rg TestedRoHSCOMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side SwitchS3.30 mm 3.30 mmD1S2S3G4D8DG7D

 9.1. Size:105K  vishay
 si7621dn.pdf

SI7620DN SI7620DN

Si7621DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 4c TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated- 20 3.8 nC0.180 at VGS = - 2.5 V - 4c PowerPAK Package- Low Thermal Resistance- Low 1.07 mm Profile 100 Rg Tested

 9.2. Size:126K  vishay
 si7625dn.pdf

SI7620DN SI7620DN

New ProductSi7625DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET- 30 39.5 nC 100% Rg Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1

 9.3. Size:579K  vishay
 si7623dn.pdf

SI7620DN SI7620DN

New ProductSi7623DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 55.5 nCFor definitions of compliance please see0.0090 at VGS = - 2.5 V

 9.4. Size:576K  vishay
 si7629dn.pdf

SI7620DN SI7620DN

New ProductSi7629DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0046 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:- 20 0.0062 at VGS = - 4.5 V - 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0117 at VGS = - 2.5 V - 35awww.v

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top