SI7742DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7742DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7742DP datasheet

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SI7742DP

Si7742DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0035 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 34 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V Power MOSFET and Schottky Diode 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK

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SI7742DP

New Product Si7748DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET RoHS 0.0048 at VGS = 10 V 50 Power MOSFET and Schottky Diode COMPLIANT 30 27.8 nC 0.0066 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8

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