SI7742DP Todos los transistores

 

SI7742DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7742DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7742DP Datasheet (PDF)

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SI7742DP

Si7742DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0035 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 34 nC0.0045 at VGS = 4.5 V Power MOSFET and Schottky Diode60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK

 9.1. Size:157K  vishay
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SI7742DP

New ProductSi7748DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET RoHS0.0048 at VGS = 10 V 50Power MOSFET and Schottky DiodeCOMPLIANT 30 27.8 nC0.0066 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8

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History: AUIRF7736M2TR1 | NTD4804NA-1G

 

 
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