SI7742DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7742DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7742DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7742DP даташит

 ..1. Size:472K  vishay
 si7742dp.pdf pdf_icon

SI7742DP

Si7742DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0035 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 34 nC 0.0045 at VGS = 4.5 V Power MOSFET and Schottky Diode 60 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK

 9.1. Size:157K  vishay
 si7748dp.pdf pdf_icon

SI7742DP

New Product Si7748DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET RoHS 0.0048 at VGS = 10 V 50 Power MOSFET and Schottky Diode COMPLIANT 30 27.8 nC 0.0066 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8

Другие IGBT... SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP, STP75NF75, SI7748DP, SI7758DP, SI7772DP, SI7774DP, SI7784DP, SI7788DP, SI7790DP, SI7792DP