Справочник MOSFET. SI7742DP

 

SI7742DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7742DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7742DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7742DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  vishay
 si7742dp.pdf pdf_icon

SI7742DP

Si7742DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0035 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 34 nC0.0045 at VGS = 4.5 V Power MOSFET and Schottky Diode60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK

 9.1. Size:157K  vishay
 si7748dp.pdf pdf_icon

SI7742DP

New ProductSi7748DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET RoHS0.0048 at VGS = 10 V 50Power MOSFET and Schottky DiodeCOMPLIANT 30 27.8 nC0.0066 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8

Другие MOSFET... SI7682DP , SI7686DP , SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , IRFP260 , SI7748DP , SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP .

History: CS5N60F | BUK9Y34-100B | CEB08N6A | DMP2033UVT | MMF80R900PTH | IPB240N04S4-1R0 | SI2302A

 

 
Back to Top

 


 
.