SI7758DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7758DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0029 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI7758DP MOSFET
SI7758DP Datasheet (PDF)
si7758dp.pdf

New ProductSi7758DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)DefinitionRoHS 0.0029 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III COMPLIANT 30 46 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 60Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg
Otros transistores... SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , K3569 , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN .
History: AOT22N50 | UPA2754GR | 7NM65G-T2Q-T
History: AOT22N50 | UPA2754GR | 7NM65G-T2Q-T



Liste
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