SI7758DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7758DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7758DP
SI7758DP Datasheet (PDF)
si7758dp.pdf

New ProductSi7758DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)DefinitionRoHS 0.0029 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III COMPLIANT 30 46 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 60Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg
Другие MOSFET... SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , K4145 , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN .
History: P1503HV
History: P1503HV



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117