SI7758DP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7758DP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7758DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7758DP даташит

 ..1. Size:507K  vishay
 si7758dp.pdf pdf_icon

SI7758DP

New Product Si7758DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition RoHS 0.0029 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III COMPLIANT 30 46 nC 0.0038 at VGS = 4.5 V 60 Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg

Другие IGBT... SI7703EDN, SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, IRF9540N, SI7772DP, SI7774DP, SI7784DP, SI7788DP, SI7790DP, SI7792DP, SI7794DP, SI7802DN