Справочник MOSFET. SI7758DP

 

SI7758DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7758DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7758DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7758DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:507K  vishay
 si7758dp.pdf pdf_icon

SI7758DP

New ProductSi7758DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)DefinitionRoHS 0.0029 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III COMPLIANT 30 46 nC0.0038 at VGS = 4.5 V 60Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg

Другие MOSFET... SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , K4145 , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN .

History: IXTY18P10T | RJK1535DPJ | 7NM65L-TMS2-T | CEU02N6A | BSC021N08NS5 | CEF04N65 | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.