SI7772DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7772DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7772DP datasheet

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SI7772DP

New Product Si7772DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.013 at VGS = 10 V 35.6a SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 8.3 nC 0.0165 at VGS = 4.5 V 31.6 Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 10

 9.1. Size:184K  vishay
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SI7772DP

New Product Si7774DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0038 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 21.5 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0047 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS T

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