Справочник MOSFET. SI7772DP

 

SI7772DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7772DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7772DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7772DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  vishay
 si7772dp.pdf pdf_icon

SI7772DP

New ProductSi7772DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.013 at VGS = 10 V 35.6a SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 8.3 nC0.0165 at VGS = 4.5 V 31.6Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 10

 9.1. Size:184K  vishay
 si7774dp.pdf pdf_icon

SI7772DP

New ProductSi7774DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.0038 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 21.5 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0047 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS T

Другие MOSFET... SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , SI7758DP , IRF1010E , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN .

 

 
Back to Top

 


 
.