SI7772DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7772DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7772DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7772DP даташит

 ..1. Size:158K  vishay
 si7772dp.pdf pdf_icon

SI7772DP

New Product Si7772DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Qg (Typ.) ID (A) Definition 0.013 at VGS = 10 V 35.6a SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 8.3 nC 0.0165 at VGS = 4.5 V 31.6 Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 10

 9.1. Size:184K  vishay
 si7774dp.pdf pdf_icon

SI7772DP

New Product Si7774DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0038 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 21.5 nC Power MOSFET and Schottky Diode 0.0047 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS T

Другие IGBT... SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP, IRF9540N, SI7774DP, SI7784DP, SI7788DP, SI7790DP, SI7792DP, SI7794DP, SI7802DN, SI7804DN