SI7774DP Todos los transistores

 

SI7774DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7774DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI7774DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI7774DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  vishay
 si7774dp.pdf pdf_icon

SI7774DP

New ProductSi7774DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.0038 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 21.5 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0047 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS T

 9.1. Size:158K  vishay
 si7772dp.pdf pdf_icon

SI7774DP

New ProductSi7772DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.013 at VGS = 10 V 35.6a SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 8.3 nC0.0165 at VGS = 4.5 V 31.6Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 10

Otros transistores... SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , SI7758DP , SI7772DP , IRF4905 , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN , SI7806ADN .

History: SI4850EY | PN4119A | AP83T02GH-HF | SST177

 

 
Back to Top

 


 
.