SI7774DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7774DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7774DP
SI7774DP Datasheet (PDF)
si7774dp.pdf

New ProductSi7774DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition 0.0038 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 21.5 nCPower MOSFET and Schottky Diode0.0047 at VGS = 4.5 V 60 100 % Rg Tested 100 % UIS T
si7772dp.pdf

New ProductSi7772DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () Qg (Typ.)ID (A)Definition0.013 at VGS = 10 V 35.6a SkyFET Monolithic TrenchFET Gen III 30 8.3 nC0.0165 at VGS = 4.5 V 31.6Power MOSFET and Schottky Diode 100 % Rg Tested 10
Другие MOSFET... SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SI7748DP , SI7758DP , SI7772DP , IRF4905 , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN , SI7806ADN .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent