SI7820DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7820DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7820DN datasheet

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SI7820DN

Si7820DN Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.240 at VGS = 10 V 2.6 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET 200 12.1 0.250 at VGS = 6 V 2.5 100 % Rg Tested Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212

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