Справочник MOSFET. SI7820DN

 

SI7820DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7820DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7820DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7820DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  vishay
 si7820dn.pdf pdf_icon

SI7820DN

Si7820DNVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.240 at VGS = 10 V 2.6 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET200 12.10.250 at VGS = 6 V 2.5 100 % Rg Tested Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212

Другие MOSFET... SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN , SI7806ADN , SI7810DN , SI7812DN , SI7818DN , 4435 , SI7840BDP , SI7846DP , SI7848BDP , SI7848DP , SI7850DP , SI7852ADP , SI7852DP , SI7856ADP .

 

 
Back to Top

 


 
.