SI7820DN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7820DN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

Аналог (замена) для SI7820DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7820DN даташит

 ..1. Size:531K  vishay
 si7820dn.pdf pdf_icon

SI7820DN

Si7820DN Vishay Siliconix N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.240 at VGS = 10 V 2.6 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET 200 12.1 0.250 at VGS = 6 V 2.5 100 % Rg Tested Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC PowerPAK 1212

Другие IGBT... SI7792DP, SI7794DP, SI7802DN, SI7804DN, SI7806ADN, SI7810DN, SI7812DN, SI7818DN, 5N65, SI7840BDP, SI7846DP, SI7848BDP, SI7848DP, SI7850DP, SI7852ADP, SI7852DP, SI7856ADP