SI7820DN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI7820DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
Аналог (замена) для SI7820DN
SI7820DN Datasheet (PDF)
si7820dn.pdf

Si7820DNVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.240 at VGS = 10 V 2.6 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET200 12.10.250 at VGS = 6 V 2.5 100 % Rg Tested Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212
Другие MOSFET... SI7792DP , SI7794DP , SI7802DN , SI7804DN , SI7806ADN , SI7810DN , SI7812DN , SI7818DN , IRF4905 , SI7840BDP , SI7846DP , SI7848BDP , SI7848DP , SI7850DP , SI7852ADP , SI7852DP , SI7856ADP .
History: P2503HEA
History: P2503HEA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent