Справочник MOSFET. SI7820DN

 

SI7820DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI7820DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

 Аналог (замена) для SI7820DN

 

 

SI7820DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  vishay
 si7820dn.pdf

SI7820DN SI7820DN

Si7820DNVishay SiliconixN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.240 at VGS = 10 V 2.6 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET200 12.10.250 at VGS = 6 V 2.5 100 % Rg Tested Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1212

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top