SI7882DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7882DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7882DP datasheet

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SI7882DP

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SI7882DP

New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S

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New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S

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