SI7882DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7882DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7882DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7882DP даташит

 ..1. Size:456K  vishay
 si7882dp.pdf pdf_icon

SI7882DP

 9.1. Size:477K  vishay
 si7884bd.pdf pdf_icon

SI7882DP

New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S

 9.2. Size:465K  vishay
 si7860adp si7880adp.pdf pdf_icon

SI7882DP

 9.3. Size:480K  vishay
 si7884bdp.pdf pdf_icon

SI7882DP

New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, SI7862ADP, SI7866ADP, SI7868ADP, SI7880ADP, 10N65, SI7884BDP, SI7886ADP, SI7888DP, SI7892BDP, SI7904BDN, SI7905DN, SI7911DN, SI7913DN