SI7911DN Todos los transistores

 

SI7911DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7911DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI7911DN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI7911DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  vishay
 si7911dn.pdf pdf_icon

SI7911DN

Si7911DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.051 at VGS = - 4.5 V - 5.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.067 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.0 Package0.094 at VGS = - 1.8 V - 4.2APPLICATIONS Portable

 9.1. Size:543K  vishay
 si7913dn.pdf pdf_icon

SI7911DN

Si7913DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 7.4 TrenchFET Power MOSFET0.048 at VGS = - 2.5 V - 20 - 6.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.066 at VGS = - 1.8 V - 55Package APPLICATIONS PortablePowerP

Otros transistores... SI7880ADP , SI7882DP , SI7884BDP , SI7886ADP , SI7888DP , SI7892BDP , SI7904BDN , SI7905DN , CS150N03A8 , SI7913DN , SI7922DN , SI7923DN , SI7938DP , SI7942DP , SI7945DP , SI7946ADP , SI7946DP .

 

 
Back to Top

 


 
.