Справочник MOSFET. SI7911DN

 

SI7911DN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7911DN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
 

 Аналог (замена) для SI7911DN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7911DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  vishay
 si7911dn.pdf pdf_icon

SI7911DN

Si7911DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.051 at VGS = - 4.5 V - 5.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.067 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.0 Package0.094 at VGS = - 1.8 V - 4.2APPLICATIONS Portable

 9.1. Size:543K  vishay
 si7913dn.pdf pdf_icon

SI7911DN

Si7913DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 7.4 TrenchFET Power MOSFET0.048 at VGS = - 2.5 V - 20 - 6.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.066 at VGS = - 1.8 V - 55Package APPLICATIONS PortablePowerP

Другие MOSFET... SI7880ADP , SI7882DP , SI7884BDP , SI7886ADP , SI7888DP , SI7892BDP , SI7904BDN , SI7905DN , CS150N03A8 , SI7913DN , SI7922DN , SI7923DN , SI7938DP , SI7942DP , SI7945DP , SI7946ADP , SI7946DP .

History: AM4922N | IXTH22N50P

 

 
Back to Top

 


 
.