SI7911DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7911DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7911DN Datasheet (PDF)
si7911dn.pdf
Si7911DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.051 at VGS = - 4.5 V - 5.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHSCOMPLIANT0.067 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.0 Package0.094 at VGS = - 1.8 V - 4.2APPLICATIONS Portable
si7913dn.pdf
Si7913DNVishay SiliconixDual P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.037 at VGS = - 4.5 V - 7.4 TrenchFET Power MOSFET0.048 at VGS = - 2.5 V - 20 - 6.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.066 at VGS = - 1.8 V - 55Package APPLICATIONS PortablePowerP
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
