SI7923DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7923DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7923DN

SI7923DN Datasheet (PDF)

..1. Size:543K vishay
si7923dn.pdf

Si7923DNVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.047 at VGS = - 10 V - 6.4 TrenchFET Power MOSFET- 300.075 at VGS = - 4.5 V - 5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package APPLICATIONS PortablePowerPAK 1212-8- Battery Switch- L

9.1. Size:563K vishay
si7925dn.pdf

Si7925DNVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.042 at VGS = - 4.5 V - 6.5RoHS0.058 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.082 at VGS = - 1.8 V - 1.2 Load Switch PA Switch Battery Switch Bi-Dire

9.2. Size:543K vishay
si7922dn.pdf

Si7922DNVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.195 at VGS = 10 V 2.5 New Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS100COMPLIANTPackage, 1/3 the Space of An SO-8 While0.230 at VGS = 6 V 2.3Thermally Comparable PWM OptimizedAPPLICATIO

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Liste

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