SI7923DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7923DN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7923DN datasheet

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SI7923DN

Si7923DN Vishay Siliconix Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.047 at VGS = - 10 V - 6.4 TrenchFET Power MOSFET - 30 0.075 at VGS = - 4.5 V - 5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package APPLICATIONS Portable PowerPAK 1212-8 - Battery Switch - L

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SI7923DN

Si7925DN Vishay Siliconix Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.042 at VGS = - 4.5 V - 6.5 RoHS 0.058 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.5 COMPLIANT APPLICATIONS 0.082 at VGS = - 1.8 V - 1.2 Load Switch PA Switch Battery Switch Bi-Dire

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SI7923DN

Si7922DN Vishay Siliconix Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 0.195 at VGS = 10 V 2.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK RoHS 100 COMPLIANT Package, 1/3 the Space of An SO-8 While 0.230 at VGS = 6 V 2.3 Thermally Comparable PWM Optimized APPLICATIO

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