SI7923DN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7923DN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-1212-8
SI7923DN Datasheet (PDF)
si7923dn.pdf
Si7923DNVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.047 at VGS = - 10 V - 6.4 TrenchFET Power MOSFET- 300.075 at VGS = - 4.5 V - 5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package APPLICATIONS PortablePowerPAK 1212-8- Battery Switch- L
si7925dn.pdf
Si7925DNVishay SiliconixDual P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.042 at VGS = - 4.5 V - 6.5RoHS0.058 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.5COMPLIANTAPPLICATIONS0.082 at VGS = - 1.8 V - 1.2 Load Switch PA Switch Battery Switch Bi-Dire
si7922dn.pdf
Si7922DNVishay SiliconixDual N-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFET0.195 at VGS = 10 V 2.5 New Low Thermal Resistance PowerPAKRoHS100COMPLIANTPackage, 1/3 the Space of An SO-8 While0.230 at VGS = 6 V 2.3Thermally Comparable PWM OptimizedAPPLICATIO
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
