IRFS450 Todos los transistores

 

IRFS450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PF
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFS450 Datasheet (PDF)

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IRFS450

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IRFS450

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IRFS450

IRFS450AFEATURESBVDSS = 500 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 9.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON): 0.308 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Characte

 0.2. Size:687K  fairchild semi
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IRFS450

November 2001IRFS450B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.6A, 500V, RDS(on) = 0.39 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 87 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast

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History: BSP322P | LSH65R1K5HT | OSG60R108KZF | CEM9936A

 

 
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