IRFS450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 151 max nC

tr ⓘ - Время нарастания: 50 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

Аналог (замена) для IRFS450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS450 даташит

 ..1. Size:187K  1
 irfs450.pdf pdf_icon

IRFS450

 ..2. Size:275K  1
 irfs450 irfs451.pdf pdf_icon

IRFS450

 0.1. Size:233K  1
 irfs450a.pdf pdf_icon

IRFS450

IRFS450A FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9.6 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.308 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characte

 0.2. Size:687K  fairchild semi
 irfs450b.pdf pdf_icon

IRFS450

November 2001 IRFS450B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.6A, 500V, RDS(on) = 0.39 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 87 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS431, IRFS432, IRFS433, IRFS440, IRFS440A, IRFS441, IRFS442, IRFS443, 10N60, IRFS450A, IRFS451, IRFS452, IRFS453, IRFS510A, IRFS520, IRFS520A, IRFS521