SI8457DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8457DB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 715 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: MICRO-FOOT-1.6X1.6
Búsqueda de reemplazo de SI8457DB MOSFET
SI8457DB Datasheet (PDF)
Otros transistores... SI8425DB , SI8429DB , SI8435DB , SI8439DB , SI8441DB , SI8445DB , SI8447DB , SI8451DB , IRF640 , SI8461DB , SI8465DB , SI8466EDB , SI8467DB , SI8469DB , SI8472DB , SI8473EDB , SI8475EDB .
History: AP6N023H | SSM6N25TU | TPCF8101 | SI5904DC | AFN9530
History: AP6N023H | SSM6N25TU | TPCF8101 | SI5904DC | AFN9530



Liste
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