SI8457DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SI8457DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT-1.6X1.6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам