SI8457DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8457DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT-1.6X1.6

Аналог (замена) для SI8457DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8457DB даташит

 ..1. Size:227K  vishay
 si8457db.pdf pdf_icon

SI8457DB

 9.1. Size:104K  vishay
 si8451db.pdf pdf_icon

SI8457DB

Другие IGBT... SI8425DB, SI8429DB, SI8435DB, SI8439DB, SI8441DB, SI8445DB, SI8447DB, SI8451DB, IRFZ44, SI8461DB, SI8465DB, SI8466EDB, SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB, SI8473EDB, SI8475EDB