SI8810EDB MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SI8810EDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI8810EDB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.072 Ohm

Encapsulados: MICRO-FOOT-0.8X0.8

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SI8810EDB datasheet

..1. Size:127K vishay
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SI8810 Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS N-Channel MOSFET Compliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Maximum Ratings Operating Junction Tempera

9.1. Size:224K vishay
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