SI8810EDB - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SI8810EDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SI8810EDB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT-0.8X0.8

Аналог (замена) для SI8810EDB

SI8810EDB Datasheet (PDF)

..1. Size:127K vishay
si8810edb.pdf

8.1. Size:545K vishay
si8810.pdf

8.2. Size:523K mcc
si8810.pdf

SI8810Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSN-Channel MOSFETCompliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Maximum Ratings Operating Junction Tempera

9.1. Size:224K vishay
si8812db.pdf