SI8810EDB - описание и поиск аналогов

 

SI8810EDB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8810EDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT-0.8X0.8

Аналог (замена) для SI8810EDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8810EDB даташит

 ..1. Size:127K  vishay
 si8810edb.pdf pdf_icon

SI8810EDB

 8.1. Size:545K  vishay
 si8810.pdf pdf_icon

SI8810EDB

 8.2. Size:523K  mcc
 si8810.pdf pdf_icon

SI8810EDB

SI8810 Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS N-Channel MOSFET Compliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Maximum Ratings Operating Junction Tempera

 9.1. Size:224K  vishay
 si8812db.pdf pdf_icon

SI8810EDB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8499DB , SI8800EDB , SI8802DB , SI8805EDB , SI8806DB , SI8808DB , SI8809EDB , SI8810 , 2SK3878 , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.