SI8819EDB MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SI8819EDB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI8819EDB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: MICRO-FOOT-0.8X0.8

Búsqueda de reemplazo de SI8819EDB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

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