Справочник MOSFET. SI8819EDB

 

SI8819EDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8819EDB
   Маркировка: AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT-0.8X0.8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8819EDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:134K  vishay
si8819edb.pdfpdf_icon

SI8819EDB

 9.1. Size:224K  vishay
si8812db.pdfpdf_icon

SI8819EDB

 9.2. Size:545K  vishay
si8810.pdfpdf_icon

SI8819EDB

 9.3. Size:134K  vishay
si8817db.pdfpdf_icon

SI8819EDB

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.