SI8819EDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI8819EDB
Маркировка: AK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT-0.8X0.8
SI8819EDB Datasheet (PDF)
si8810.pdf
SI8810Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSN-Channel MOSFETCompliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Maximum Ratings Operating Junction Tempera
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918