SI8819EDB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI8819EDB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT-0.8X0.8
Аналог (замена) для SI8819EDB
SI8819EDB Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SI8806DB , SI8808DB , SI8809EDB , SI8810 , SI8810EDB , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , IRF4905 , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPF7N65 | MPF4N65 | MP5N50 | MP13N50 | MDT80N06D | MDT40P10D | MDT35P10D | MD50N50 | MD40N50 | FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P
Popular searches
nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404