SI9424BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9424BDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 9 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI9424BDY MOSFET
SI9424BDY Datasheet (PDF)
si9424dy-t1-e3.pdf
SI9424DY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Ty
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History: IXTT48P20P | IPB023N06N3G | 2SK612-Z | IRF630FP | VS2N7002K | BL3N150-K
History: IXTT48P20P | IPB023N06N3G | 2SK612-Z | IRF630FP | VS2N7002K | BL3N150-K
Liste
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