SI9424BDY - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SI9424BDY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SI9424BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 9 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.85 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9424BDY

SI9424BDY Datasheet (PDF)

..1. Size:244K vishay
si9424bdy.pdf

8.1. Size:75K vishay
si9424dy.pdf

8.2. Size:852K cn vbsemi
si9424dy-t1-e3.pdf

SI9424DY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Ty

9.1. Size:72K vishay
si9420dy.pdf