SI9424BDY - описание и поиск аналогов

 

SI9424BDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI9424BDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 9 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9424BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9424BDY даташит

 ..1. Size:244K  vishay
 si9424bdy.pdf pdf_icon

SI9424BDY

 8.1. Size:75K  vishay
 si9424dy.pdf pdf_icon

SI9424BDY

 8.2. Size:852K  cn vbsemi
 si9424dy-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9424BDY

SI9424DY-T1-E3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition a 0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET - 13 a 100 % Rg Tested 0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC - 10 Built in ESD Protection with Zener Diode 0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Ty

 9.1. Size:72K  vishay
 si9420dy.pdf pdf_icon

SI9424BDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SPP20N60C3 , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY , JCS5N50VT .

History: AON6290

 

 

 

 

↑ Back to Top
.