SI9926CDY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9926CDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Encapsulados: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI9926CDY MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI9926CDY datasheet
Otros transistores... SI8822, SI8851EDB, SI9407BDY, SI9410BDY, SI9424BDY, SI9424DY, SI9433BDY, SI9434BDY, AON7410, SI9933CDY, SI9934BDY, SI9945BDY, JCS5N50VT, JCS5N50RT, JCS5N50CT, JCS5N50FT, JCS7N65CB
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324
