SI9926CDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9926CDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
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SI9926CDY Datasheet (PDF)
Otros transistores... SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , 5N60 , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB .
History: IRF6708S2 | UT3N10G-AA3-R | SFD085N80C2 | GP2M002A060XG | P0460BTFS | AP50WN1K0I | SSM3K15AFS
History: IRF6708S2 | UT3N10G-AA3-R | SFD085N80C2 | GP2M002A060XG | P0460BTFS | AP50WN1K0I | SSM3K15AFS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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