SI9926CDY Todos los transistores

 

SI9926CDY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9926CDY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SO-8

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SI9926CDY datasheet

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SI9926CDY

Otros transistores... SI8822, SI8851EDB, SI9407BDY, SI9410BDY, SI9424BDY, SI9424DY, SI9433BDY, SI9434BDY, AON7410, SI9933CDY, SI9934BDY, SI9945BDY, JCS5N50VT, JCS5N50RT, JCS5N50CT, JCS5N50FT, JCS7N65CB

 

 

 


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