Справочник MOSFET. SI9926CDY

 

SI9926CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9926CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI9926CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9926CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  vishay
 si9926cdy.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 6.1. Size:250K  vishay
 si9926cd.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 8.1. Size:101K  vishay
 si9926bdy.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 8.2. Size:242K  vishay
 si9926bd.pdf pdf_icon

SI9926CDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , RFP50N06 , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB .

History: H5N2001LS | IRF3007L | AP0504GMT-HF | 2N6913A | WML13N50D1B | IXFK48N55 | IRLB3034

 

 
Back to Top

 


 
.