Справочник MOSFET. SI9926CDY

 

SI9926CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9926CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI9926CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9926CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  vishay
 si9926cdy.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 6.1. Size:250K  vishay
 si9926cd.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 8.1. Size:101K  vishay
 si9926bdy.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 8.2. Size:242K  vishay
 si9926bd.pdf pdf_icon

SI9926CDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.