Справочник MOSFET. SI9926CDY

 

SI9926CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9926CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9926CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  vishay
 si9926cdy.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 6.1. Size:250K  vishay
 si9926cd.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 8.1. Size:101K  vishay
 si9926bdy.pdf pdf_icon

SI9926CDY

 8.2. Size:242K  vishay
 si9926bd.pdf pdf_icon

SI9926CDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.