SI9934BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI9934BDY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de SI9934BDY MOSFET
SI9934BDY Datasheet (PDF)
si9936dy.pdf
June 1999Si9936DY*Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are 5.0 A, 30 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advanceRDS(ON) = 0.080 @ VGS = 4.5 Vprocess that has been especially tailored to minimizeon-state resistance and yet maintain superior switchingperformance
Otros transistores... SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , 4435 , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B .
Liste
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