SI9934BDY Todos los transistores

 

SI9934BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI9934BDY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI9934BDY MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI9934BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  vishay
 si9934bdy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

 8.1. Size:69K  vishay
 si9934dy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

 9.1. Size:240K  fairchild semi
 si9936dy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

June 1999Si9936DY*Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are 5.0 A, 30 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advanceRDS(ON) = 0.080 @ VGS = 4.5 Vprocess that has been especially tailored to minimizeon-state resistance and yet maintain superior switchingperformance

 9.2. Size:243K  vishay
 si9936bd.pdf pdf_icon

SI9934BDY

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , IRF4905 , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B .

History: AP6P070I | JCS7N65FB | NVMFS6H818N | RP1E090XN

 

 
Back to Top

 


 
.