SI9934BDY MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SI9934BDY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9934BDY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SO-8

Búsqueda de reemplazo de SI9934BDY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SI9934BDY datasheet

..1. Size:230K vishay
si9934bdy.pdf pdf_icon

8.1. Size:69K vishay
si9934dy.pdf pdf_icon

9.1. Size:240K fairchild semi
si9936dy.pdf pdf_icon

June 1999 Si9936DY* Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description Features These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are 5.0 A, 30 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = 10 V produced using Fairchild Semiconductor's advance RDS(ON) = 0.080 @ VGS = 4.5 V process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance

9.2. Size:243K vishay
si9936bd.pdf pdf_icon