Справочник MOSFET. SI9934BDY

 

SI9934BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9934BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9934BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  vishay
 si9934bdy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

 8.1. Size:69K  vishay
 si9934dy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

 9.1. Size:240K  fairchild semi
 si9936dy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

June 1999Si9936DY*Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are 5.0 A, 30 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advanceRDS(ON) = 0.080 @ VGS = 4.5 Vprocess that has been especially tailored to minimizeon-state resistance and yet maintain superior switchingperformance

 9.2. Size:243K  vishay
 si9936bd.pdf pdf_icon

SI9934BDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AP99T06AGP-HF | JCS5N50CT | P0780ATF | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.