SI9934BDY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI9934BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для SI9934BDY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI9934BDY даташит
si9936dy.pdf
June 1999 Si9936DY* Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description Features These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are 5.0 A, 30 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = 10 V produced using Fairchild Semiconductor's advance RDS(ON) = 0.080 @ VGS = 4.5 V process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance
Другие MOSFET... SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , 5N65 , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B .
History: BUK7277-55A
History: BUK7277-55A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281












