Справочник MOSFET. SI9934BDY

 

SI9934BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9934BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI9934BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9934BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  vishay
 si9934bdy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

 8.1. Size:69K  vishay
 si9934dy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

 9.1. Size:240K  fairchild semi
 si9936dy.pdf pdf_icon

SI9934BDY

June 1999Si9936DY*Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are 5.0 A, 30 V. RDS(ON) = 0.050 @ VGS = 10 Vproduced using Fairchild Semiconductor's advanceRDS(ON) = 0.080 @ VGS = 4.5 Vprocess that has been especially tailored to minimizeon-state resistance and yet maintain superior switchingperformance

 9.2. Size:243K  vishay
 si9936bd.pdf pdf_icon

SI9934BDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , 4435 , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B .

History: AP6N8R2ALH | MTN8N70FP

 

 
Back to Top

 


 
.