N6004NZ Todos los transistores

 

N6004NZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: N6004NZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: ITO-220

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N6004NZ datasheet

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N6004NZ

Data Sheet N6004NZ R07DS1022EC0100 Rev.1.00 N-channel MOSFET Feb 18, 2013 600V, 4A, 2.0 Description The N6004NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 2.0 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low input capacitance Ciss = 900pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Otros transistores... AOD452A , APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRFP640 , MMD70R900P , 10N65 , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH .

 

 

 


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