N6004NZ Todos los transistores

 

N6004NZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: N6004NZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO-220
 

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N6004NZ Datasheet (PDF)

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N6004NZ

Data SheetN6004NZ R07DS1022EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 4A, 2.0 Description The N6004NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 2.0 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low input capacitance Ciss = 900pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Otros transistores... AOD452A , APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRFP640 , MMD70R900P , 75N75 , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH .

History: YJD80N03B | ELM14406AA | VBZE80N03 | FDC642P-F085

 

 
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