N6004NZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N6004NZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: ITO-220
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N6004NZ datasheet
n6004nz.pdf
Data Sheet N6004NZ R07DS1022EC0100 Rev.1.00 N-channel MOSFET Feb 18, 2013 600V, 4A, 2.0 Description The N6004NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 2.0 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low input capacitance Ciss = 900pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current
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