Справочник MOSFET. N6004NZ

 

N6004NZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: N6004NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: ITO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

N6004NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  renesas
 n6004nz.pdf pdf_icon

N6004NZ

Data SheetN6004NZ R07DS1022EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 4A, 2.0 Description The N6004NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 2.0 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low input capacitance Ciss = 900pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDD6696 | SQJ460AEP | AFN10N65T220FT | IRF6217 | 2SK56 | IRC8405 | 7N65KG-T2Q-T

 

 
Back to Top

 


 
.