N6004NZ - описание и поиск аналогов

 

N6004NZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: N6004NZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: ITO-220

Аналог (замена) для N6004NZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N6004NZ даташит

 ..1. Size:258K  renesas
 n6004nz.pdf pdf_icon

N6004NZ

Data Sheet N6004NZ R07DS1022EC0100 Rev.1.00 N-channel MOSFET Feb 18, 2013 600V, 4A, 2.0 Description The N6004NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 2.0 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low input capacitance Ciss = 900pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Другие MOSFET... AOD452A , APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRFP640 , MMD70R900P , 10N65 , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.