N6004NZ - аналоги и даташиты транзистора

 

N6004NZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: N6004NZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: ITO-220
 

 Аналог (замена) для N6004NZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N6004NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  renesas
 n6004nz.pdf pdf_icon

N6004NZ

Data SheetN6004NZ R07DS1022EC0100Rev.1.00N-channel MOSFET Feb 18, 2013600V, 4A, 2.0 Description The N6004NZ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 2.0 MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low input capacitance Ciss = 900pF TYP. (VDS = 10V, VGS = 0 V) High current

Другие MOSFET... AOD452A , APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRFP640 , MMD70R900P , STP80NF70 , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH .

History: KDS3512 | FDC855N

 

 
Back to Top

 


 
.