MDA0531EURH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDA0531EURH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X5
Búsqueda de reemplazo de MDA0531EURH MOSFET
MDA0531EURH Datasheet (PDF)
mda0531eurh.pdf

MDA0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8A, 19m General Description Features The MDA0531E uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @ V = 10V D GSswitching performance and excellent reliability. Low RDS(ON) R and low gate charge operation with gate voltage
Otros transistores... N6004NZ , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , IRFB31N20D , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH .
History: 2N7012 | IXFP16N50P3 | AOB2144L | IXFH60N65X2 | IXFH34N65X2 | MTB20N20E | FCP650N80Z
History: 2N7012 | IXFP16N50P3 | AOB2144L | IXFH60N65X2 | IXFH34N65X2 | MTB20N20E | FCP650N80Z



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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