MDA0531EURH Todos los transistores

 

MDA0531EURH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDA0531EURH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X5
     - Selección de transistores por parámetros

 

MDA0531EURH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:362K  magnachip
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MDA0531EURH

MDA0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8A, 19m General Description Features The MDA0531E uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @ V = 10V D GSswitching performance and excellent reliability. Low RDS(ON) R and low gate charge operation with gate voltage

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFT30N60X | WSD4066DN | CSD17310Q5A | AOLF66610 | 2SK1336 | VS3618AE | HFD5N60S

 

 
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