MDA0531EURH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDA0531EURH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
Аналог (замена) для MDA0531EURH
MDA0531EURH Datasheet (PDF)
mda0531eurh.pdf

MDA0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8A, 19m General Description Features The MDA0531E uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @ V = 10V D GSswitching performance and excellent reliability. Low RDS(ON) R and low gate charge operation with gate voltage
Другие MOSFET... N6004NZ , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , NCEP15T14 , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH .
History: NDB610B | R6520KNZ1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout