MDA0531EURH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MDA0531EURH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
Тип корпуса: DFN2X5
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
MDA0531EURH Datasheet (PDF)
mda0531eurh.pdf

MDA0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8A, 19m General Description Features The MDA0531E uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @ V = 10V D GSswitching performance and excellent reliability. Low RDS(ON) R and low gate charge operation with gate voltage
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SJMN250R80ZW | BF964S | ST2300 | BSC032N03SG | FQD19N10LTM | 2SK565 | KIA65R190
History: SJMN250R80ZW | BF964S | ST2300 | BSC032N03SG | FQD19N10LTM | 2SK565 | KIA65R190



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout