MDC0531EURH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDC0531EURH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDC0531EURH

MDC0531EURH Datasheet (PDF)

..1. Size:855K magnachip
mdc0531eurh.pdf

MDC0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8.0 A, 20m General Description Features The MDC0531E uses advanced MagnaChips MOSFET V = 30V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @V = 10V D GSswitching performance and excellent reliability. Low R DS(ON)RDS(ON) and low gate charge operation with gate voltage

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Liste

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