MDC0531EURH Todos los transistores

 

MDC0531EURH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDC0531EURH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8

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MDC0531EURH datasheet

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MDC0531EURH

MDC0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8.0 A, 20m General Description Features The MDC0531E uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @V = 10V D GS switching performance and excellent reliability. Low R DS(ON) RDS(ON) and low gate charge operation with gate voltage

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