MDC0531EURH. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MDC0531EURH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: TSSOP-8
Аналог (замена) для MDC0531EURH
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MDC0531EURH даташит
mdc0531eurh.pdf
MDC0531E Common-Drain N-Channel Trench MOSFET 30V, 8.0 A, 20m General Description Features The MDC0531E uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 30V DS Technology, which provides low on-state resistance, high I = 8.0A @V = 10V D GS switching performance and excellent reliability. Low R DS(ON) RDS(ON) and low gate charge operation with gate voltage
Другие MOSFET... PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , STF13NM60N , MDCA0418EURH , MDD1051RH , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH .
History: PD504BA
History: PD504BA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l

