MDD1051RH Todos los transistores

 

MDD1051RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDD1051RH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MDD1051RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  magnachip
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MDD1051RH

MDD1051 Single N-channel Trench MOSFET 150V, 28A, 46m General Description Features The MDD1051 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 150V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 28A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDD1051 is suitable device for Synchronous

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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MDD1051RH

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MDD1051RHFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , IRF830 , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH .

History: AM40P10-200P | STB100NF03L-03-1 | IPD082N10N3G

 

 
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