MDD1051RH Todos los transistores

 

MDD1051RH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDD1051RH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MDD1051RH datasheet

 ..1. Size:316K  magnachip
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MDD1051RH

MDD1051 Single N-channel Trench MOSFET 150V, 28A, 46m General Description Features The MDD1051 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 150V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 28A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1051 is suitable device for Synchronous

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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MDD1051RH

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor MDD1051RH FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , 2N60 , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH .

 

 

 

 

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