MDD1051RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD1051RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 405 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD1051RH
MDD1051RH Datasheet (PDF)
mdd1051rh.pdf
MDD1051 Single N-channel Trench MOSFET 150V, 28A, 46m General Description Features The MDD1051 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 150V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 28A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDD1051 is suitable device for Synchronous
mdd1051rh.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MDD1051RHFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
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Liste
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