Справочник MOSFET. MDD1051RH

 

MDD1051RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD1051RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD1051RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1051RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  magnachip
 mdd1051rh.pdf pdf_icon

MDD1051RH

MDD1051 Single N-channel Trench MOSFET 150V, 28A, 46m General Description Features The MDD1051 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 150V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 28A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDD1051 is suitable device for Synchronous

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 mdd1051rh.pdf pdf_icon

MDD1051RH

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MDD1051RHFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие MOSFET... PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , IRF830 , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH .

History: TK30E06N1

 

 
Back to Top

 


 
.