MDD1051RH - описание и поиск аналогов

 

MDD1051RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD1051RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 405 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD1051RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1051RH даташит

 ..1. Size:316K  magnachip
 mdd1051rh.pdf pdf_icon

MDD1051RH

MDD1051 Single N-channel Trench MOSFET 150V, 28A, 46m General Description Features The MDD1051 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 150V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 28A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1051 is suitable device for Synchronous

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
 mdd1051rh.pdf pdf_icon

MDD1051RH

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor MDD1051RH FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие MOSFET... PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , 2N60 , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.