MDD14N25CRH Todos los transistores

 

MDD14N25CRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDD14N25CRH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de MDD14N25CRH MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MDD14N25CRH datasheet

 ..1. Size:820K  magnachip
 mdd14n25crh.pdf pdf_icon

MDD14N25CRH

MDD14N25C N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 250V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 10.2A D state resistance, high switching performance and excellent R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable device for SMPS

 5.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mdd14n25c.pdf pdf_icon

MDD14N25CRH

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor MDD14N25C FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Otros transistores... RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , 8N60 , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH .

History: MTE8D0N08H8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.