MDD14N25CRH Todos los transistores

 

MDD14N25CRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDD14N25CRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de MDD14N25CRH MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MDD14N25CRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  magnachip
 mdd14n25crh.pdf pdf_icon

MDD14N25CRH

MDD14N25C N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 250V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 10.2A Dstate resistance, high switching performance and excellent R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SMPS

 5.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mdd14n25c.pdf pdf_icon

MDD14N25CRH

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MDD14N25CFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Otros transistores... RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , K2611 , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH .

History: STC4301D | PHD9NQ20T | HGP098N10A | HM15N10K | 7NM65L-TM3-T | BL6N40-D | DMTH6002LPS

 

 
Back to Top

 


 
.