MDD14N25CRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDD14N25CRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 142 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD14N25CRH

MDD14N25CRH Datasheet (PDF)

..1. Size:820K magnachip
mdd14n25crh.pdf

MDD14N25C N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 250V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 10.2A Dstate resistance, high switching performance and excellent R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SMPS

5.1. Size:208K inchange semiconductor
mdd14n25c.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MDD14N25CFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: