Справочник MOSFET. MDD14N25CRH

 

MDD14N25CRH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDD14N25CRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10.2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
   Время нарастания (tr): 42 ns
   Выходная емкость (Cd): 142 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MDD14N25CRH

 

 

MDD14N25CRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:820K  magnachip
 mdd14n25crh.pdf

MDD14N25CRH MDD14N25CRH

MDD14N25C N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 250V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 10.2A Dstate resistance, high switching performance and excellent R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SMPS

 5.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mdd14n25c.pdf

MDD14N25CRH MDD14N25CRH

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MDD14N25CFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top