MDD14N25CRH - описание и поиск аналогов

 

MDD14N25CRH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD14N25CRH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD14N25CRH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD14N25CRH даташит

 ..1. Size:820K  magnachip
 mdd14n25crh.pdf pdf_icon

MDD14N25CRH

MDD14N25C N-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 250V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 10.2A D state resistance, high switching performance and excellent R 0.28 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable device for SMPS

 5.1. Size:208K  inchange semiconductor
 mdd14n25c.pdf pdf_icon

MDD14N25CRH

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor MDD14N25C FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

Другие MOSFET... RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH , MDCA0418EURH , MDD1051RH , 8N60 , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH .

History: STF42N65M5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.