MDD2N60RH Todos los transistores

 

MDD2N60RH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDD2N60RH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MDD2N60RH datasheet

 ..1. Size:746K  magnachip
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MDD2N60RH

MDD2N60/MDI2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 1.9A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable device for

Otros transistores... MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , IRFB7545 , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH .

History: TPC8118 | AOI8N25 | SVSP11N70SD2

 

 

 

 

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