MDD2N60RH Todos los transistores

 

MDD2N60RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDD2N60RH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MDD2N60RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  magnachip
 mdd2n60rh mdi2n60.pdf pdf_icon

MDD2N60RH

MDD2N60/MDI2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 1.9A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for

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History: IXFK73N30Q | IRFR020PBF | IRF044SMD | TMP8N50Z | IRFIZ46NPBF | AUIRF3805 | AOTF10N60

 

 
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