MDD2N60RH - аналоги и даташиты транзистора

 

MDD2N60RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDD2N60RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD2N60RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD2N60RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  magnachip
 mdd2n60rh mdi2n60.pdf pdf_icon

MDD2N60RH

MDD2N60/MDI2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 1.9A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for

Другие MOSFET... MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , IRF520 , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MDD3N50GRH , MDD4N20YRH , MDD4N25RH , MDD4N60BRH .

 

 
Back to Top

 


 
.