Справочник MOSFET. MDD2N60RH

 

MDD2N60RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD2N60RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD2N60RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD2N60RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  magnachip
 mdd2n60rh mdi2n60.pdf pdf_icon

MDD2N60RH

MDD2N60/MDI2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 1.9A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.